Самсунг денеска започна со масовно производство на своите нови модули DDR3 DRAM со користење на производствен процес од 20 нанометри. Овие нови модули имаат капацитет од 4Gb, односно 512MB. Сепак, достапната меморија на поединечни модули не е нивна примарна карактеристика. Напредокот лежи токму во користењето на нов производствен процес, што резултира со до 25% помала потрошувачка на енергија во споредба со постариот процес од 25 нанометри.
Поместувањето кон технологијата 20 nm е исто така последниот чекор што ја одвојува компанијата од започнување со производство на мемориски модули користејќи го процесот од 10 nm. Технологијата која моментално се користи во новите модули е и најнапредна на пазарот и може да се користи не само со компјутери, туку и со мобилни уреди. За компјутерите, тоа значи дека Samsung сега може да креира чипови со иста големина, но со значително поголема оперативна меморија. Самсунг, исто така, мораше да ја измени својата постоечка технологија за да може да ги направи чиповите помали додека го одржува сегашниот метод на производство.
- Можеби ќе ве интересира: Samsung ја разви првата мобилна DRAM меморија од 8 GB LPDDR4
