Иако Samsung сè уште не го претстави ниту едното ни другото Galaxy S9 и за него веќе почнува да се шпекулира Galaxy S10. Очигледно, предводникот што јужнокорејскиот гигант ќе го претстави следната година би требало да има помоќен чип од овогодинешниот Galaxy S9. Срцето на меѓународната верзија Galaxy S9 е Exynos 9810, а американската верзија е Snapdragon 845. Samsung мораше да се држи до процесот на 10nm, но чиповите од 7nm треба да се појават во паметните телефони веќе следната година, т.е. Galaxy С10.
Вчера Qualcomm го претстави Snapdragon X24, нов LTE модем за паметни телефони кој ветува теоретска брзина на преземање до 2 Gbps. Qualcomm тврди дека ова е првиот LTE модем од категорија 20 кој поддржува толку големи брзини. Така, Snapdragon X24 ќе стане првиот LTE модем изграден на архитектура од 7 nm.
Qualcomm рече дека модемот ќе се појави во комерцијални уреди некаде подоцна оваа година, така што нема да дебитира со чипот Snapdragon 845 што ја напојува американската верзија Galaxy S9. Snapdragon 845 има Snapdragon X20 LTE модем.
Иако Qualcomm не потврди дека претстојниот процесор, односно Snapdragon 855, ќе се произведува со 7nm процес. Ова е само шпекулација, базирана на профилот на LinkedIn на еден од вработените во добавувачот.
Така, Snapdragon 855, кој би го имал модемот Snapdragon X24, би станал првиот 7nm мобилен процесор во светот. И Galaxy S10 ќе стане првиот паметен телефон што ќе има ваков процесор.
Извор: SamMobile
