Samsung официјално претстави 8GB LPDDR5 DRAM чип за паметни телефони. Според компанијата, ова е првиот 8 GB LPDDR5 чип направен со технологија означена како 10nm-класа, што може да биде нешто помеѓу 10 и 19 nm. Претходникот, односно 8GB LPDDR4 чипот, веќе беше произведен во 2014 година, така што беше само прашање на време кога јужнокорејскиот гигант ќе излезе со иновација.
Samsung наведува дека LPDDR5 ќе најде примена главно во областите на 5G, автомобилски и мобилни уреди кои користат вештачка интелигенција. Со брзина на пренос од 6 Mbps, 400GB LPDDR8 DRAM чипот е 5 пати побрз од мобилните DRAM чипови што се користат во тековните предводници. Galaxy S9 има чип LPDDR4X со брзина на пренос на податоци од 4 Mbps. LPDDR266 може да испраќа 5 GB податоци во секунда, што е приближно 51,2 HD видео датотеки.
Samsung ќе понуди и верзија со целосна пропусна моќ на напон од 1,1 V, како и послаби и поекономични 5 Mb/s на 500 V. LPDDR1,05 ќе понуди и режим на длабок сон (Длабок сон), што приближно ќе ја преполови потрошувачката на енергија на сегашните LPDDR4X DRAM-и. Samsung тврди дека со новиот чип може да ја намали потрошувачката на енергија и до 30%, а со тоа да го продолжи животниот век на батериите на паметните телефони.
Веројатно чипот уште у Galaxy Note9 нема да се појави, но најверојатно ќе го добие следната година Galaxy С10.
