Затвори ја рекламата

20nm-4Gb-DDR3-03Samsung повторно е прв во нешто. Овој пат јужнокорејската компанија објави дека успеала да ја создаде најбрзата RAM меморија во светот. Меморијата од типот DDR5 користи интерфејс HBM2 и е способна за брзина на пренос до 256 GB/s, што ја прави до 7 пати побрза од претходните DDR5 модули што се користат во графичките картички. Компанијата најави дека ќе ја обезбеди својата супербрза 4GB DDR5 меморија на производителите на корпоративни сервери, како и на производителите на графички картички, nVidia и AMD.

Мемориските модули за графичките картички ќе се произведуваат користејќи го процесот на производство од 20 nm, што ќе ги натера да трошат помалку од денешните мемории, а истовремено да нудат повисоки перформанси. Во моментов се произведуваат чипови од 4 GB кои се состојат од четири слоеви со 8-гигабитни јадра, но наскоро треба да влезат во производство на меморија од 8 GB со осум слоеви.

20nm 8Gb DDR4 Samsung

 

*Извор: SamMobile

Теми: , ,

Најчитаните на денешницата

.